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品牌 | HXY MOSFET(華軒陽電子) |
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封裝 | TO-264 |
包裝形式 | 管 |
包裝數量 | 24 |
庫存數量 | 120 |
商品描述 |
這款IGBT(絕緣柵雙極晶體管)具有600V的集射極擊穿電壓(VCES),可在高達160A的集電極電流(Ic)下工作,最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V,確保了低驅動損耗和快速開關性能。適用于高性能電源管理、電機控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應用場合。 |
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產品型號 | HSGL160N60UFDTU |
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品牌 | HXY MOSFET(華軒陽電子) |
封裝 | TO-264 |
包裝數量 | 24 |
包裝方式 | 管 |
這款IGBT(絕緣柵雙極晶體管)具有600V的集射極擊穿電壓(VCES),可在高達160A的集電極電流(Ic)下工作,最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V,確保了低驅動損耗和快速開關性能。適用于高性能電源管理、電機控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應用場合。